SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻
2013-11-19 10:58:03 作者:sales10 来源: 浏览次数:0 文字大小:【】【】【

  通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于,越是低耐压产品,基片上层积的漂移层就越薄,因此在SiC二极管的导通电阻中,基片的电阻成分所占比例就越大。

  目前,SiC基片的厚度以350μm为主流,超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度,许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。

  比如,罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm,并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管(SBD)。在SiC相关国际学会“ICSCRM2013”(2013年9月29日~10月4日举行)上,该公司比较了该试制SBD与原来利用230μm厚的基片制造的相同耐压的SBD的导通电阻值。50μm产品的导通电阻为0.22mΩcm2,减小到了230μm产品的0.48mΩcm2的一半以下。

  三菱电机也利用90μm厚的SiC基片试制了耐压1.2kV的SiCSBD。该公司在ICSCRM2013发表了相关成果,虽未公布具体的导通电阻值,但与使用约300μm厚的基片制造的相同耐压的SBD相比,导通电阻减小了0.4mΩcm2。

  另外,英飞凌也在致力于利用薄型SiC基片的SiC二极管的研发。该公司在2013年5月举行的功率半导体国际学会“ISPSD2013”(日本电气学会主办)上发表了将基片减薄至110μm的耐压650V的SiC二极管。

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