FinFETs-on-SOI可提升一倍電池壽命
2013-11-15 17:13:31 作者:jcmicon622 来源: 浏览次数:0 文字大小:【】【】【


本文简介:[摘要提示]據GoldStandar......




關鍵字:SOI 晶圓 FinFET 電晶體 塊狀矽
[摘要提示] 據 Gold Standard Simulations Ltd. 最近進行的 TCAD 模擬分析顯示,在 SOI 晶圓上製造的完全耗盡型FinFET電晶體,其漏電流將能比在塊狀矽上製造的 FinFET 減少一半到三分之一左右。GSS CEO Asen Asenov在該公司網站上撰寫了一系列採用其模擬工具分析 FinFET 的文章。最初是探討英特爾(Intel)的 22nm塊狀矽製程 FinFET 元件形狀。該公司是採用其 Garand ......

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