本文简介：[摘要提示]據GoldStandar......




關鍵字：SOI 晶圓 FinFET 電晶體 塊狀矽
[摘要提示] 據 Gold Standard Simulations Ltd. 最近進行的 TCAD 模擬分析顯示，在 SOI 晶圓上製造的完全耗盡型FinFET電晶體，其漏電流將能比在塊狀矽上製造的 FinFET 減少一半到三分之一左右。GSS CEO Asen Asenov在該公司網站上撰寫了一系列採用其模擬工具分析 FinFET 的文章。最初是探討英特爾(Intel)的 22nm塊狀矽製程 FinFET 元件形狀。該公司是採用其 Garand ......

請登陸或註冊網站閱讀全文>>
還未註冊?


現在免費註冊，您即可：
不受限制地閱讀所有網站文章及下載技術資料；
定期獲得您的個人化資訊速遞與論壇速遞等服務；
擁有獨家專有的論壇ID，以及論壇發文功能；
建立個人家族，與業界朋友交流及分享經驗。
已經註冊? 登錄閱覽全部精彩內容 電子郵件：

密碼：
登入密碼區分大小寫
記住我的密碼 忘記密碼