聯電與ST合推65奈米CMOS影像感測器BSI技術
2013-11-15 17:10:05 作者:jcmicon622 来源: 浏览次数:0 文字大小:【】【】【


本文简介:[摘要提示]晶圓代工大廠聯華電子(U......




關鍵字:聯電 ST 65奈米 CMOS影像感測器 BSI
[摘要提示] 晶圓代工大廠聯華電子(UMC,以下簡稱聯電)日前宣佈,與意法半導體(ST)合作 65奈米 CMOS影像感測器背面照度(BSI)技術。雙方先前已順利於聯電新加坡Fab 12i廠產出意法半導體的前面照度式(FSI)製程,奠基於之前的成功經驗,此次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關係。此1.1um像素間距的BSI製程,將於聯電新加坡Fab 12i廠展開研發,並將以開放式平台模式供客......

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